模电小结

1 晶体二极管

直流通路:信号源短路,耦合电容开路

交流通路:直流电源短路,耦合电容短路

1-1 半导体物理基础知识

热平衡载流子浓度值

热平衡条件:

电中性方程:掺杂低价离子时:为掺杂浓度

空穴,自由电子

电场:漂移电流;浓度差:扩散电流

1-2 PN结

内建电位差,其中热电压,室温下约为26mV

伏安特性,S:反向饱和(Saturate),I、V在二极管中常有下标D(Diode)

此处-1或变换后的+1常忽略

1-3 晶体二极管电路的分析方法

伏安特性曲线在导通电压后以的斜率上升

小信号模型-交流模型:串联一个微变电阻(增量结电阻/肖特基电阻)====,与静态工作点有关,此模型下的电流

1-4 晶体二极管的应用

轮流假设各管导通或截止

1-5 其它二极管

齐纳二极管

又称稳压二极管,工作在反向击穿区

相当于小信号模型中的电阻

可将波动的输出范围视作源

可靠击穿即电流足够大

2 晶体三极管

2-1 晶体三极管的工作原理

共基极直流电流放大系数:

共射极直流电流放大系数:

穿透电流:

  • 放大模式:发射结加正向电压,集电结加反向电压,
  • 饱和模式:均正偏,(掺杂浓度不同)
  • 截止模式:均反偏

基区宽度调制效应:集射电压变化导致基极电流变化

2-2 晶体三极管模型

共射大信号电路

放大模式:只考虑发射结电压,其余按电流关系

饱和模式:考虑发射结电压和集电结电压(

  1. 放大模式:输入端接正向电压源(相当于半导体大信号模型中的电压源。即正向导通电压),输出端接正向受控电流源(相当于EM模型中的电流源),发射极为负端
  2. 饱和模式:输入端、输出端都接正向电压源,都约为正向导通电压
  3. 截止模式:输入端、输出端都断路

小信号-混合π型微变等效电路

简化

  • 忽略
  • 低频时:忽略

:反映三极管的放大能力

跨导

NPN和PNP的小信号模型一样

频率参数

特征频率:β为1时对应的频率

截止频率:β为最大时的0.707时对应的频率

2-3 三极管电路分析方法

先假设为放大模式,然后求证明成立

2-4 三极管应用原理

分压式偏置电路

放大模式

  • (由戴维宁)
  • (由戴维宁)

跨导线性环电路

偶数个BE结环状相接,其中一半按顺时针方向,另一半按逆时针方向,则所有环中顺时针集电极电流之积等于逆时针集电极电流之积。

,i为集电极电流,S为发射结面积

3 场效应管

3-1 绝缘栅场效应管MOSFET

N:箭头向内。箭头方向:PN结正偏时正向电流方向

衬偏效应:衬底和源极间有电压差

EMOS(Enhancement)

N沟道:;P沟道相反

DMOS(Depletion)

N沟道:;P沟道相反

在生产时已经制作了沟道,因此时就有沟道

非饱和区

  • 很小时:
  • 计及沟道长度调制效应时:(源漏电压差导致漏极电流变化)

计及沟道调制效应

饱和区

饱和区小信号电路模型,在ds间接一个电阻

非饱和区小信号电路模型

N沟道P沟道
非饱和区

饱和区

n沟道中所有不等号取反即是p沟道

3-2 结型场效应管

非饱和区

饱和区

饱和区计及沟道长度调制效应

截止区

击穿区:随着增加,近漏端PN结发生雪崩击穿,越负,越小

电路模型与MOS管一致

3-3 场效应管应用原理

有源电阻

N沟道EMOS:GD相连

交流阻值:

N沟道DMOS:GS相连

交流阻值:

逻辑门电路

N沟道MOS等效为栅压高时闭合的开关

P沟道MOS等效为栅压高时打开的开关

4 放大器基础

增益方向!

4-1 放大器的基本概念

负载开路时

负载短路时

源增益,必须用分压算!

输入电阻输入电压除以输入电流考虑负载)

输出电阻移除信号源,不考虑负载从负载看到的等效电阻

:不考虑等与负载并联的电阻

有时考虑用电流增益算电压增益

能利用三极管放大就用

vt:三极管;:三极管自身电压增益

4-2 基本放大器

性能共源共栅共漏
性能共射发射极接电阻的共射共基共集

共基:发射极为输入端正极,基极接地

共集:基极作为输入端正极

要点:电流源两端不能接信号源

共射放大器

基本共射放大器

  • 输入电阻
  • 输出电阻
  • 电流增益
  • 电压增益

有源负载放大器

  • 电压增益

发射极接电阻的共射放大器

  • 输入电阻
  • 输出电阻
  • 电流增益
  • 电压增益

集成MOS放大器

E/E和E/D MOS放大器:只用N型,负载实质为纯电阻

  1. E/E:放大器和负载均为EMOS
  2. E/D:放大器为EMOS,负载为DMOS

4-3 差分放大器

共模信号:两信号和的一半,即均值

差模信号:两信号差

为两端输入之差,因此差模输入电阻要算两倍

差模等效电路

对差模信号而言,可视为短路。

性能指标定义

  • 双端增益
  • 单端输出时差模电压增益
  • 差模输入电阻(常为两倍)
  • 差模输出电阻:单端输出时,为放大器任一输出端到地的输出电阻,而双端输出电阻则是以两端向放大器看过去的输出电阻,即为两放大器输出电阻之和。(将输入电压短路)
  • 共模增益
  • 共模抑制比:

指标计算

  • ,即差模输入的一半的峰值必须保证管子仍处于放大
差模共模
共模等效电路

对共模信号而言,相当于接入

双端共模增益为零

双极型差模增益

4-4 电流源电路及其应用

镜像电流源

基本镜像电流源电路

T1接成二极管,T2接成电流源

4-5 多级放大器

划分为多个常见电路模型

4-6 放大器的频率响应

复频域分析方法

一个独立电抗元件对应一对极零点

幅频:波特图为20lg

真实:s换为jω

波特:近似为20dB

遇到零点则斜率加,遇到极点则斜率减,最后叠加/求和

相频

开始非0,单极点斜率为-45°

中频增益:将传递函数写为一极一零连乘形式,利用高低通特性将传递函数化为常数

上限频率

  1. 根据定义:
    • 多极无零系统:,主极点是n重极点时:
    • 重极点:,n为极点个数
  2. 用主极点近似求解

主极点

  • 低频主极点:比其它极点值都大4倍以上
  • 高频主极点:比其它极点值都小4倍以上,又称主极点

共源、共发放大器的频率特性

密勒定理

图(a)为输入输出端跨接阻抗Z(s)(或Y(s)=1/Z(s))的网络,它可以用图(b)来等效: ,其中A(s)=V2(s)/V1(s),即Y(s)可以用分别并接在输入输出端的导纳Y1(s),Y2(s)来代替

中频增益即小信号等效电路的电压增益(20lg)

放大器CSCE
密勒效应D因子
单向化近似条件

电容
电阻

5 放大器中的负反馈

5-1 反馈放大器的基本概念

输出信号

反馈系数

误差信号

反馈放大器的增益(闭环增益):

环路增益,反馈深度

反馈网络的输入端在原输出端侧

四种类型负反馈放大器

电压型:输出端并联;电流型:输出端串联

并联型:输入端并联,接电流源;串联型:输入端串联,接电压源

反馈信号类型一定与输入信号类型一致。

类型判别

分别短路输入输出

  1. 短路输入时,若反馈网络的输出对放大器产生影响,如,则为串联
  2. 短路输出时,若反馈网络有输入,则为电流

简化:

  • 与输出连:电压
  • 与输入连:并联

极性判别

极性主要指增益的正负

削弱净输入信号的为负反馈,增强净输入信号的为正反馈,即的正负

在闭合环路的任一处断开,并在此处假定信号极性,而后不考虑信号源,按顺时针判定信号流经该闭合环路时电压极性的转换,直到返回断开点。 若此时极性与假设相同,则为正反馈。

顺时针指先经过放大器输入,到输出,再到反馈网络输入,到输出。

经过 时反相,经过 * 电阻* 时不变

5-2 负反馈对放大器性能的影响

串联负反馈:输入端是基本放大器的输入与反馈网络的输出串联连接,故输入电阻增加到基本放大器输入电阻的F倍

增益及其稳定性

源电压增益

增益灵敏度

输出电阻

  • 输出阻抗低适合输出电压
  • 输入阻抗低适合输入电流

失真和噪声

反馈类型输入阻抗输出阻抗类型
电压串联负反馈电压增益
电压并联负反馈
电流串联负反馈
电流并联负反馈电流增益

5-3 负反馈放大器的性能分析

拆环方法

  • 考虑反馈放大器输入时,将反馈网络的输出
    • 电压:短路
    • 电流:开路
  • 考虑反馈放大器输出时,将反馈网络的输入
    • 并联:短路
    • 串联:开路

电压:假设输出电流 电流:假设输出电压 并联:假设输入电流 串联:假设输入电压

假设网络的输入、输出电流,并用电压来表示之,最后将电流搬回放大器,得到反馈系数

深度负反馈

深度负反馈条件

6 集成运算放大器及其应用电路

6-1 集成运算电路

6-2 集成运放应用电路的组成原理

理想化条件

虚短虚断

基本应用电路

  1. 反相放大器为负向端到地间电阻
  2. 同相放大器时构成同相跟随器

闭环应用

加法和减法电路
反相加法器同相加法器

,其中并联
加法器实现的减法器差动减法器


时,
积分运算电路微分运算电路
对数运算电路指数运算电路
,其中
有源滤波器

可以带负载,可以提供增益

带通带阻

开环应用

电压比较器单限电压比较器
时输出高电平
迟滞比较器

先求输出范围,再通过电路求输入范围

输入接电容:方波发生器